フラッシュメモリ

フラッシュメモリ(flash memory)とは、CPUキャッシュメモリのように電源を切ったら消去されるものではなく、電源を切ってもデータが残るタイプのメモリをいう。

CPUなど、半導体メモリを使ったRAMは電源の供給が無くなると保持されたデータは消失する。フラッシュメモリも半導体を用いているが、こちらは電源の供給を失ってもデータが保持される。どちらも電気を用いて書換えと消去を行っているが、前者は揮発性、後者は不揮発性メモリという。

フラッシュメモリには、NANDとNOR型があり、前者はランダムアクセスの読み出しがブロック単位である。書込みが高速で、高集積によって低価格で大容量化しやすい性質がある。ただ、バイト単位の書込みは遅い。後者はランダムアクセスの読み出しがバイト単位であり、書込みが低速になる。また、容量を大きくしにくいという特徴を持つ。書込みはいずれもブロック単位。

フラッシュメモリのNAND型は、SSDやUSBフラッシュメモリなど、書き込みや低価格に比重を置く製品でよく使われる。NOR型は、マイコンやルータなどの電化製品のファームウェアに利用される。

また、フラッシュメモリのNAND型には大別すると、SLCとMLCがある。SLCは書き込み速度が速く、書換えられる回数もMLCに比べると多くなっている。その一方で1つのメモリセル(素子)に対して1ビットとなっているため、容量を大きくしにくく、高額になる傾向にある。

これに対してMLCでは、一つのメモリセルに2ビット以上を記録できるため、ストレージの容量を大きくしやすいメリットがある。しかし、SLCに比較すると書き込み速度が遅く、書換えできる回数も少なくなり、寿命も短くなる。尚、電子の蓄積量を区別するために、MLCを2ビット、TLCを3ビットとする場合もある。

フラッシュメモリの意味を簡潔に説明すると

半導体を使った不揮発性メモリのこと。